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题名:
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功率晶体管原理 gong lv jing ti guan yuan li / 万积庆，唐元洪编著 , |
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ISBN:
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978-7-81113-491-9 价格： CNY43.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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273页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 长沙 出版社： 湖南大学出版社 出版日期： 2009 |
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内容提要:
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本书首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。 |
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主题词:
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功率晶体管 |
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中图分类法:
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TN32 版次： 4 |
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主要责任者:
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万积庆 wan ji qing 编著 |
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主要责任者:
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唐元洪 tang yuan hong 编著 |